51，遠端容性負載會增加信號上升時間。

 

10-90上升時間約為（100xC）PS，其中C的單位為PF。

 

52.如果變異電容小于0.004XRT，則可能不會引起問題。

 

53和50歐姆傳輸線中的角的電容（Ff）是線寬（MIL）的兩倍。

 

54，電容變異會使四眼座50％點增加0.5XZ0XC。

 

55.如果變異電感（NH）小于上升時間（NS）的10倍，則不會出現問題。

 

56，對于小于1NS信號的上升時間，約10NH軸向引腳電阻的電路電感可能產生更多的反射噪聲，然后可以用芯片電阻代替。

 

57，在50歐姆系統中，需要使用4PF電容來補償10NH電感。

 

在58,1GHZ時，1盎司銅線的電阻是其在DC狀態下的電阻的約15倍。

 

在59,1GHZ時，8MIL寬線的寬度電阻產生與介質產生的材料相同的衰減，并且由介電材料產生的衰減隨頻率變化更快。如圖60所示，對于3MIL或更寬的線路，低損耗狀態都發生在10MHZ頻率之上。在低損耗狀態下，特征阻抗和信號速度與損耗和頻率無關。

 

公共級互連的損耗不會引起分散現象。

 

61，-3DB衰減相當于初始信號功率降低到50％，初始電壓幅度降低到70％。

 

62，-20DB衰減相當于初始信號功率降低到1％，初始電壓幅度降低到10％。

 

如圖63所示，當處于趨膚效應狀態時，信號路徑和系列單位長度的返回路徑約為（8 / W）Xsqrt（f）（其中線寬W：MIL;頻率F：GHZ）。

 

在64和50歐姆的傳輸線中，導體產生的單位長度衰減約為36 /（Wz0）DB / IN。

 

如圖65所示，FR4的耗散因數約為0.02。

 

在66,1GHZ處，FR4中的介電材料產生的衰減約為0.1DB / IN，并隨頻率線性增加。

 

67.對于FR4中的8MIL寬和50歐姆傳輸線，導體損耗等于1GHZ時介電材料的損耗。

 

如圖68所示，受損耗因素的限制，FR4互連（其長度為LEN）的帶寬約為30GHZ / LEN。

 

69，FR4互連線可以傳播的最短時間是10PS / INxLEN。

 

70.如果互連長度（in）大于上升時間（NS）的50倍，則FR4介質板中的損耗引起的上升沿劣化不能忽略。

 

在一對50歐姆微帶傳輸線中，當線間距等于線寬時，信號線之間的耦合電容約占5％。

 

72.在一對50歐姆微帶傳輸線中，當線間距等于線寬時，信號線之間的耦合電感約占15％。

 

73.對于1NS的上升時間，FR4中近端噪聲的飽和長度為6IN，與上升時間成正比。

 

74.腳跟線的負載電容是一個常數，與附近其他線的接近程度無關。

 

75，對于50歐姆的微帶線，線間距和線寬相等，近端串擾約為5％。

 

76，對于50歐姆的微帶線，線間距是線寬的兩倍，近端串擾約為2％。

 

77，對于50歐姆的微帶線，線間距是線寬的3倍，近端串擾約為1％。

 

78，對于50歐姆帶狀線，行間距和線寬相等，近端串擾約為6％。

 

79，對于50歐姆的帶狀線，線間距是線寬的兩倍，近端串擾約為2％。 80，對于50歐姆的帶狀線，線間距是線寬的3倍，近端串擾約為0.5％。81.在一對50歐姆微帶傳輸線中，當間距等于線寬時，遠端噪聲為4％Xtd / rt。

 

如果線路延遲為1ns且上升時間為0.5ns，則遠端噪聲為8％。 82，一對50歐姆的微帶傳輸線，間距是線寬的兩倍，遠端噪聲是2％Xtd / rt。

 

如果線路延遲為1ns且上升時間為0.5ns，則遠端噪聲為4％。 83，一對50歐姆的微帶傳輸線，間距是線寬的3倍，遠端噪聲是Xtd / rt的1.5％。

 

如果線路延遲為1ns且上升時間為0.5ns，則遠端噪聲為4％。

 

84.帶狀線或完全嵌入的微帶線上沒有遠端噪聲。

 

85，在50歐姆總線上，無論是帶狀線還是微帶線，要使遠端噪聲低于5％的情況下，必須保持線間距大于線寬的兩倍。

 

86.在50歐姆的公共汽車上，當線之間的距離等于線寬時，受傷線上75％的維京人來自與受傷線兩側相鄰的兩條腳跟線。

 

87.在50歐姆的公共汽車上，當線之間的距離等于線寬時，受傷線上95％的維京人來自受傷線兩側最近距離兩側的兩條線。 88，在50歐姆的公交車上，線路距離是線寬的兩倍，受傷線100％的維京人從受傷線路兩側相鄰的兩條線路。

 

這是為了忽略與總線中所有其他線路的耦合。如圖89所示，對于表面布線，增加相鄰信號線之間的距離使得足以添加保護布線，串擾通常將降低到可接受的水平，并且這不是增加保護布線所必需的。

 

為端子短路連接添加保護線可以將串擾降低到50％。

 

90，對于Ribbon線，使用保護線可以減少10％時沒有保護線的串擾。

 

如圖91所示，為了將開關噪聲保持在可接受的水平，互感必須小于2.5nhx上升時間（NS）。 92，對于連接器或封裝的開關噪聲限制，最大可用時鐘頻率為250MHZ /（NxLm）。

 

其中，Lm是信號/返回路徑對之間的互感（NH），N是同時打開的數量。

 

如圖93所示，在LVDS信號中，共模信號分量是差分信號分量的兩倍以上。

 

94.如果兩者之間沒有耦合，則差分對的差分阻抗是任何單端線阻抗的兩倍。

 

如圖95所示，一對50歐姆的微帶線，只要其中一個腳跟線電壓保持在高或低，那么單端特征阻抗的另一個腳跟線完全獨立于與相鄰線的距離。

 

如圖96所示，在緊耦合差分微帶線中，線寬等于耦合時的線間距，線路遠離無耦合，差分特性阻抗僅降低約10％。

 

如圖97所示，對于寬邊耦合差對，線之間的距離應至少大于線，因此目的是獲得高達100歐姆的檢查阻抗。

 

98，FCC的B級要求是在100MHZ時，3M距離的遠場強度小于150UV / M.

 

99.由強耦合差分對上的相鄰單端攻擊二次方產生的差分信號串擾比弱耦合差分對上的串擾小30％。 100.由強耦合