二極管

是常見各類插件封裝及貼片封裝的二極管，兩個引腳以上的貼片有些是多個二極管的一體封裝形式，并有做成類似排阻形式的二極管陣列。

　二極管

二極管的基本特性就是單向導電性。檢修測量時通過兩個方向的截止和導通情況來判斷是否損壞。二極管的主要參數有反向電壓、持續正向電流、正向導通電壓、耗散功率和反向恢復時間（決定適用工作頻率）。不同型號的二極管，維修替換時要全面考慮這些參數，用于替換的元件參數須與元件參數相同或高出原件。

二極管的正向壓降使用數字萬用表的二極管測試擋可以測出，一般在0.4～0.8V之間，肖特基二極管的導通電壓可以低至0.2V，在需要低電壓降的場合大量應用，維修時選擇替換型號尤其要引起注意。

2　三極管

是各種三極管的實物圖。三極管是電流控制型半導體器件，是透過基極的小電流來控制集電極相對大電流的元件。三極管有三個工作狀態：截止狀態、放大狀態和飽和狀態。因為運算放大器的廣泛使用，在工控電路板中使用三極管用作模擬放大的電路已不多見，三極管的最常見用法是使用它的飽和截止狀態做開關信號驅動。

　三極管實物

三極管的參數如下。

（1）電流放大倍數 β

三極管處于放大區時，集電極電流和基極電流的比值叫做放大倍數 β 值。一般小功率的三極管 β 值在30～100之間，大功率的管子的 β 值較低，在10～30之間。三極管的 β 值過小放大能力小；但是 β 值過大，穩定性差。手冊上常用 h _FE 表示 β 值。

（2）穿透電流 I _CEO

穿透電流是衡量一個管子好壞的重要指標，穿透電流大，三極管電流中非受控成分大，管子性能差。穿透電流受溫度影響大，溫度上升，穿透電流增大很快。

（3）極限參數

①最大集電極允許電流 I _CM I _CM 是指三極管的參數變化不允許超過允許值時的最大集電極電流。當電流超過 I _CM 時，管子的性能顯著下降，集電結溫度上升，甚至燒壞管子。

②反向擊穿電壓 U _{（ BR ） CEO} 是指三極管基極開路時，允許加到C-E極間的最大電壓。一般三極管為幾十伏，高反壓的管子的反向擊穿電壓大到上千伏。

③集電極最大允許功耗 P _CM 三極管工作時，消耗的功率 P _C = I _C U _CE ，三極管的功耗增加會使集電結的溫度上升，過高的溫度會損害三極管。因此， I _C U _CE 不能超過 P _CM 。小功率的管子 P _CM 為幾十毫瓦，大功率的管子 P _CM 可達幾百瓦以上。

④特征頻率 f _T 由于極間電容的影響，頻率增加時管子的電流放大倍數下降， f _T 是三極管的 β 值下降到1時的頻率。高頻率三極管的特征頻率可達1000MHz。

如果三極管方便易拆焊，拆下后也可以使用晶體管測試儀來測量三極管，晶體管測試儀的使用請參看工具使用章節。

3　場效應管

場效應管的外觀封裝和三極管相同。場效應管屬于電壓控制型半導體器件，即通過控制柵極和源極電壓大小來控制漏極和源極的導通情況，場效應管的柵極輸入阻抗非常高。根據結構的不同，場效應管又分為P溝道和N溝道兩種類型。

維修時，需要關注的幾個場效應管的主要參數如下。

V _DSS （漏-源電壓）：場效應管工作時，漏極-源極之間的電壓應低于此電壓；

V _GS （柵極-源極電壓）：在柵極和源極所加控制電壓的極限；

I _D （漏極持續電流）：場效應管導通時，漏極能持續通過的最大電流；

R _{DS （ ON ）} （漏-源通態電阻）：當漏極和源極導通后，它們之間的電阻值；

V _{GS （ TO ）} 柵-源閾值電壓：即要使場效應管導通，加在柵極和源極之間的最小電壓。

4　晶閘管

晶閘管也稱可控硅，也是電流型控制半導體器件，控制極和陰極之間的電阻比較小，通過施加控制極G和陰極K之間的電流來控制陽極A和陰極K之間的導通。晶閘管的特點是“一觸即發”，就是在G和K之間加上電流后，A和K導通，即使去除G和K之間的電流，陽極和陰極也會維持導通。如果要關斷A和K，就要斷開加在A上的電壓或減小A、K之間的回路電流至足夠小才行。晶閘管等效電路。

　晶閘管及其等效電路

雙向晶閘管可被認為是一對反并聯連接的普通晶閘管的集成，工作原理與普通單向晶閘管相同。為雙向晶閘管的基本結構及其等效電路，它有兩個主電極T1和T2，一個控制極G，控制極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發導通。

　雙向晶閘管的基本結構及其等效電路