1．MAX12557簡介

MAX12557是雙路、3.3V、14位模數轉換器（ADC），具有全差分寬帶采樣/保持（T/H）輸入，用于驅動內部量化器。MAX12557針對低功耗、小尺寸和高動態性能進行了優化，適合中頻（IF）和基帶采樣應用。

關于MAX12557的電路設計的一般建議如下。

（1）引腳2和引腳3，INAP和INAN：為了獲得最佳的交流性能，根據具體應用，這些引腳與地之間應并聯一定的電容，電容值范圍為5.6～12pF。這些電容有可能被包含在驅動ADC的抗混疊濾波器中，且應放在電路板的頂層。

（2）引腳6，COMA：COMA通過一個高頻性能良好的2.2μF陶瓷電容旁路至GND。

（3）引腳7，REFAP：通過一個位于PCB頂層的高頻陶瓷電容（最大為1.0μF）將REFAP旁路至GND。所有REFAP連線應盡可能短。

（4）引腳8，REFAN：通過一個位于PCB頂層的高頻陶瓷電容（最大為1.0μF）將REFAN旁路至GND。所有REFAN連線應盡可能短。

（5）引腳10，REFBN：通過一個位于PCB頂層的高頻陶瓷電容（最大為1.0μF）將REFBN旁路至GND。所有REFBN連線應盡可能短。

（6）引腳11，REFBP：通過一個位于PCB頂層的高頻陶瓷電容（最大為1.0μF）將REFBP旁路至GND。所有REFBP連線應盡可能短。

（7）引腳12，COMB：COMB通過一個高頻性能良好的2.2μF陶瓷電容旁路至GND。

（8）引腳15和引腳16，INBN和INBP：為獲得最佳的總體交流性能，根據具體應用，這些引腳與地之間應并聯一定的電容，電容值為5.6～12pF。這些電容可能被包含在驅動ADC的抗混疊濾波器中，且應放在電路板的頂層。

（9）引腳23～26，61～63（VDD）：用一個高頻性能良好的1.0μF陶瓷電容和一個高頻性能良好、大于等于2.2μF的陶瓷電容并聯，將VDD旁路至GND。

（10）引腳27，43，60（OVDD）：用一個高頻性能良好的1.0μF陶瓷電容和一個高頻性能良好、大于等于2.2μF的陶瓷電容并聯，將VDD旁路至GND。

（11）引腳28～41（D0B～D13B）：在數據輸出引腳上增加串聯電阻。這個串聯電阻可以限制從輸出驅動器流出，并返回到芯片內部GND的高頻邊沿電流。選擇合適的電阻值，使其與負載電容組合形成的RC時間常數約為1ns。可以采用很小且很便宜的電阻排，如Panasonic公司的EXB-2HV-221J。

（12）引腳45～58（D0A～D13A）：在數據輸出引腳上增加串聯電阻。這個串聯電阻可以限制從輸出驅動器流出，并返回到芯片內部GND的高頻邊沿電流。選擇合適的電阻值，使其與負載電容組合形成的RC時間常數約為1ns。可以采用很小且很便宜的電阻排，如Panasonic公司的EXB-2HV-221J。

（13）內部參考電壓輸出腳（引腳67，REFOUT）：該REFOUT的電壓為2.048V，可輸出1mA電流。采用內部基準時，REFOUT直接與REFIN連接，或通過一個電阻分壓器分壓REFOUT的輸出電壓，用來設定REFIN輸入電壓。REFOUT通過一個高頻性能良好、值大于等于0.1μF的陶瓷電容旁路至GND。

（14）單端基準模擬輸入（引腳68，REFIN）：對于內部基準和外部基準緩沖工作模式，可施加一個0.7～2.3V的參考電壓到REFIN。在規定的工作電壓范圍內，REFIN具有大于50MΩ的輸入阻抗，差分參考電壓（VREF_P - VREF_N）由REFIN產生。在內部基準模式和外部基準緩沖模式下，REFIN通過一個性能良好的、值大于等于0.1μF的高頻陶瓷電容旁路至GND。在無緩沖的外部基準模式下，REFIN連至GND。